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J-GLOBAL ID：201103061830194013

磁界センサ

Inventor： ブルース アルヴィン ガーニー ,  アーネスト イー マリネロ ,  シモーヌ ピサナ
Applicant, Patent owner： ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
Agent (1)： 特許業務法人はるか国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010179572
Publication number (International publication number)：2011040750
Application date： Aug. 10, 2010
Publication date： Feb. 24, 2011
Summary：

【課題】 調整可能なグラフェンを用いた磁界センサを提供する。【解決手段】 グラフェンセンス層を採用する磁界センサであって、センス層内を移動する電荷キャリアに作用するローレンツ力が、グラフェン層内を移動する電荷キャリアの経路に変化をもたらす。磁界の存在を示すこの経路の変化を検出することができる。センサは、非磁性の電気的絶縁材料によってグラフェン層から分離される1つまたは複数のゲート電極を含む。ゲート電極へのゲート電圧の印加により、グラフェン層の電気抵抗が変化し、このゲート電圧の印加を用いて、センサの感度および速度を制御することができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

1または複数のグラフェンのシートを含むnグラフェン層と、 前記nグラフェン層に接続され、前記nグラフェン層に電流を供給し、かつ磁界の存在に応じた電圧変化の測定に使用される複数の電極と、 前記nグラフェン層から非磁性の電気的絶縁材料によって分離されたゲート電極と、 を備える磁界センサ。

IPC (5)：

H01L 43/06 ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08 ,  G01R 33/07

FI (5)：

H01L43/06 S ,  G11B5/39 ,  G01R33/06 R ,  H01L43/08 S ,  G01R33/06 H

F-Term (25)：

2G017AA10 ,  2G017AD54 ,  2G017CB26 ,  5D034BA00 ,  5D034BA21 ,  5F092AA01 ,  5F092AA12 ,  5F092AB01 ,  5F092AC02 ,  5F092AC04 ,  5F092AC24 ,  5F092AD07 ,  5F092BA02 ,  5F092BA16 ,  5F092BA19 ,  5F092BA21 ,  5F092BA22 ,  5F092BA32 ,  5F092BB05 ,  5F092BB41 ,  5F092BB47 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BD12 ,  5F092BD16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-218079
  
• グラフェン集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-163856   Applicant：国立大学法人北海道大学