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J-GLOBAL ID：201103063262343222

単結晶体の製造方法

Inventor： 上山 大輔 ,  大迫 良人
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009177738
Publication number (International publication number)：2011032112
Application date： Jul. 30, 2009
Publication date： Feb. 17, 2011
Summary：

【課題】 ピットの発生が抑制され、バルク状でかつ結晶性の高い単結晶体の製造方法を提供する。 【解決手段】 単結晶体の製造方法は、種基板の上面であって、中心から周縁にかけて設けられた平面部と該平面部の周囲を囲むように周縁に設けられた傾斜部とを有する前記上面のうち、前記傾斜部上にマスクを設ける工程1と、前記工程1の後、気相成長法によって前記種基板上に単結晶のホモエピタキシャル成長を行う工程2と、を具備する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

種基板の上面であって、中心から周縁にかけて設けられた平面部と該平面部の周囲を囲むように周縁に設けられ、前記平面部の面に対して傾斜した傾斜部とを有する前記上面のうち、前記傾斜部上にマスクを設ける工程1と、 前記工程1の後、気相成長法によって前記種基板上に単結晶のホモエピタキシャル成長を行う工程2と、 を具備する単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/04 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B29/38 D ,  C30B25/04 ,  H01L21/205

F-Term (30)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED01 ,  4G077ED04 ,  4G077EE07 ,  4G077EG03 ,  4G077EG04 ,  4G077EG11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TF03 ,  4G077TF04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045DP02 ,  5F045EM03