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J-GLOBAL ID：201103064994537174

Cu-Ga合金材、スパッタリングターゲット、及びCu-Ga合金材の製造方法

Inventor： 平本 雄一 ,  外木 達也 ,  辰巳 憲之
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (7)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝 ,  今 智司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010115198
Publication number (International publication number)：2011241452
Application date： May. 19, 2010
Publication date： Dec. 01, 2011
Summary：

【課題】偏析相が少ないCu-Ga合金材、スパッタリングターゲット、及びCu-Ga合金材の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のCu-Ga合金材は、平均組成が32重量%以上53重量%以下のガリウム(Ga)と、残部が銅(Cu)及び不可避的不純物とからなるCu-Ga合金材であって、47重量%未満の銅と不可避的空隙とを含む領域の体積のCu-Ga合金材全体の体積に占める割合が2%以下である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

平均組成が32重量%以上53重量%以下のガリウム(Ga)と、残部が銅(Cu)及び不可避的不純物とからなるCu-Ga合金材であって、 47重量%未満の銅を含む領域の体積の前記Cu-Ga合金材全体の体積に占める割合が2%以下であるCu-Ga合金材。

IPC (8)：

C22C 9/00 ,  C22C 1/04 ,  B22F 1/00 ,  C22C 28/00 ,  B22F 3/14 ,  B22F 3/24 ,  B22F 9/04 ,  C23C 14/34

FI (9)：

C22C9/00 ,  C22C1/04 A ,  B22F1/00 L ,  C22C28/00 B ,  B22F1/00 R ,  B22F3/14 D ,  B22F3/24 C ,  B22F9/04 C ,  C23C14/34 A

F-Term (20)：

4K017AA04 ,  4K017BA05 ,  4K017BA10 ,  4K017BB05 ,  4K017BB18 ,  4K017CA07 ,  4K017DA09 ,  4K017EA03 ,  4K018AA04 ,  4K018AA40 ,  4K018BA02 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018BB10 ,  4K018EA02 ,  4K018FA09 ,  4K018KA29 ,  4K018KA63 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09