有機薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：大野聖二 , 森田耕司 , 鈴木守 , 松任谷優子 , 津田理
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010534546
Publication number (International publication number)：2011505065
Application date： Nov. 27, 2008
Publication date： Feb. 17, 2011
Summary：

ソース電極(2)およびドレイン電極(4)と、チャネル領域内でソース電極(2)とドレイン電極(4)の間に配置された有機半導電性材料(8)とを含む有機薄膜トランジスタであって、ソース電極およびドレイン電極の上に、電子を受容することによって有機半導電性材料を化学的にドープするためのドーパント部分を含む薄い自己集合性の材料層(14)が配置され、このドーパント部分が、アセトニトリル中の飽和カロメル電極に対して少なくとも0.3eVの酸化還元電位を有する、有機薄膜トランジスタ、およびその製造方法。

Claim (excerpt)：

ソースおよびドレイン電極と、チャネル領域内で前記電極間に配置された有機半導電性材料とを含む有機薄膜トランジスタであって、前記ソース電極およびドレイン電極の上に、電子を受容することによって前記有機半導電性材料を化学的にドープするためのドーパント部分を含む薄い自己集合性の材料層が配置され、前記ドーパント部分が、アセトニトリル中の飽和カロメル電極に対して少なくとも0.3eVの酸化還元電位を有する、有機薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (6)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 616U , H01L29/78 617T , H01L29/28 100A , H01L29/28 250Z

F-Term (25)：

5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110NN72 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

有機薄膜トランジスタ、有機発光素子及び有機発光ディスプレイ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2010-512658 Applicant：ケンブリッジディスプレイテクノロジーリミテッド, パナソニック株式会社
有機簿膜トランジスタの製造方法及びこれによって製造された有機薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-163101 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置、有機トランジスタ及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-117481 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

“Controlling Electrical Properties of Conjugated Polymers via a Solution-Based p-Type Doping”

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