Pat
J-GLOBAL ID:201103067202297928
グラフェンの製造方法、その製造方法により製造されたグラフェン及びそのグラフェンからなる導電性薄膜、透明電極、放熱素子または発熱素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
大島 陽一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010206795
Publication number (International publication number):2011063506
Application date: Sep. 15, 2010
Publication date: Mar. 31, 2011
Summary:
【課題】グラフェンの製造方法、その製造方法によって製造されたグラフェン、そのグラフェンからなる導電性薄膜、透明電極、放熱素子または発熱素子を提供する。【解決手段】本発明のグラフェンの製造方法は、(a)ベース部材110と、前記ベース部材上に形成された親水性酸化層120と、前記酸化層上に形成された疎水性金属触媒層130と、前記金属触媒層上に形成されたグラフェン層140とを含むグラフェン部材を準備する段階と、(b)前記グラフェン部材に水を提供する段階と、(c)前記酸化層から前記金属触媒層を分離する段階と、(d)エッチング法を用いて前記金属触媒層を除去する段階とを含む。前記グラフェン上には転写部材150が配置される。【選択図】図3
Claim (excerpt):
グラフェンの製造方法であって、
(a)ベース部材と、前記ベース部材上に形成された親水性の酸化層と、前記酸化層上に形成された疎水性の金属触媒層と、前記金属触媒層上に形成されたグラフェン層とを含むグラフェン部材を準備する段階と、
(b)前記グラフェン部材に水を提供する段階と、
(c)前記酸化層から前記金属触媒層を分離する段階と、
(d)エッチング法を用いて前記金属触媒層を除去する段階と
を含むグラフェンの製造方法。
IPC (4):
C01B 31/04
, H05B 3/14
, H01B 5/14
, H01B 13/00
FI (4):
C01B31/04 101Z
, H05B3/14 F
, H01B5/14 A
, H01B13/00 503B
F-Term (29):
3K092PP20
, 3K092QB14
, 3K092VV40
, 4G146AA02
, 4G146AB07
, 4G146AD19
, 4G146AD22
, 4G146AD23
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB23
, 4G146BC08
, 4G146BC43
, 4G146BC44
, 4G146CB06
, 4G146CB12
, 4G146CB15
, 4G146CB19
, 4G146CB21
, 4G146CB29
, 4G146CB32
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB04
, 5G307FC10
, 5G323AA03
, 5G323BA05
, 5G323BB04
, 5G323BB06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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グラフェンシート及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-277065
Applicant:三星電子株式会社
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単結晶グラフェンシートおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-318418
Applicant:三星電子株式会社
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