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J-GLOBAL ID：201103068668158819

裏面電極型太陽電池の製造方法、裏面電極型太陽電池および裏面電極型太陽電池モジュール

Inventor： 横沢 雄二 ,  舩越 康志 ,  岡本 諭 ,  倉橋 孝尚
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 平井 良憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010020029
Publication number (International publication number)：2011159783
Application date： Feb. 01, 2010
Publication date： Aug. 18, 2011
Summary：

【課題】工数を低減して、効率的に製造することが可能な裏面電極型太陽電池、裏面電極型太陽電池の製造方法、および裏面電極型太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】シリコン基板4の受光面に、シリコン基板4の導電型と同じ導電型になるような不純物を含む化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む溶液を塗布し熱処理することにより受光面拡散層6と反射防止膜7とを形成する工程と、シリコン基板4の受光面に熱処理により受光面パッシベーション膜8を形成する工程とを有する裏面電極型太陽電池の製造方法。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

シリコン基板の受光面とは反対側の面にn型用電極とp型用電極とを有する裏面電極型太陽電池の製造方法において、 シリコン基板の受光面に、前記シリコン基板の導電型と同じ導電型になるような不純物を含む化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む溶液を塗布し熱処理することにより受光面拡散層と反射防止膜とを形成する工程と、 前記シリコン基板の受光面に熱処理により受光面パッシベーション膜を形成する工程とを有することを特徴とする裏面電極型太陽電池の製造方法。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (2)：

H01L31/04 F ,  H01L31/04 A

F-Term (24)：

5F051AA02 ,  5F051AA16 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051DA01 ,  5F051DA03 ,  5F051FA10 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03 ,  5F051HA20 ,  5F151AA02 ,  5F151AA16 ,  5F151CB21 ,  5F151CB27 ,  5F151DA01 ,  5F151DA03 ,  5F151FA10 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03 ,  5F151HA20