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J-GLOBAL ID：201103070152126206

カーボンナノチューブ膜の成膜方法

Inventor： 松本 貴士 ,  杉浦 正仁 ,  小泉 建次郎 ,  柏木 勇作
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009220370
Publication number (International publication number)：2011068513
Application date： Sep. 25, 2009
Publication date： Apr. 07, 2011
Summary：

【課題】下層の触媒金属を微粒にかつ高密度に形成して低欠陥で高密度のカーボンナノチューブ膜を形成することができるカーボンナノチューブ膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】表面に金属触媒層が形成された被処理基板を準備し(工程1)、金属触媒層に酸素プラズマ処理を施し(工程2)、酸素プラズマ処理後の金属触媒層に水素含有プラズマ処理を施して、金属触媒層の表面を活性化し(工程3)、その後、金属触媒層の上にプラズマCVDによりカーボンナノチューブ膜を成膜する(工程5)。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

表面に金属触媒層が形成された被処理基板を準備する工程と、 前記金属触媒層に酸素プラズマ処理を施す工程と、 前記酸素プラズマ処理後の前記金属触媒層に水素含有プラズマ処理を施して、前記金属触媒層の表面を活性化する工程と、 前記活性化が施された後の被処理基板の前記金属触媒層の上にプラズマCVDによりカーボンナノチューブ膜を成膜する工程と を有することを特徴とするカーボンナノチューブ膜の成膜方法。

IPC (1)：

C01B 31/02

FI (1)：

C01B31/02 101F

F-Term (24)：

4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD05 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC18 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC32A ,  4G146BC32B ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC44 ,  4G146BC50 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA30 ,  4G146DA33