Pat
J-GLOBAL ID：201103071294571556
半導体スピン偏極電子源
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1994115221
Publication number (International publication number)：1995320633
Patent number：2606131
Application date： May. 27, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Claim (excerpt)：
【請求項1】基板上に少なくともスピン偏極電子の発生領域として、基板の格子定数よりも大きな格子定数を有し電子波長程度以下の厚さのウェル層と、ウェル層よりも価電子帯エネルギーが低く伝導帯の電子がトンネル効果で透過できる厚さのバリア層との交互積層からなる格子緩和のないp型伝導の歪超格子構造を含むことを特徴とする半導体スピン偏極電子源。
IPC (1)：
FI (1)：
Return to Previous Page
