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J-GLOBAL ID：201103072429813950

プロトン交換膜の製造方法

Inventor： 北川 宏 ,  長尾 祐樹
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 平山 一幸
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2002186932
Publication number (International publication number)：2004031173
Patent number：4182395
Application date： Jun. 26, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Claim (excerpt)：

【請求項1】式1で示されるジチオオキサミド誘導体R2dtoa(ここで、RはH又はC3H6OHから選択される)とCuとからなり、式2を繰り返し単位とする層状の分子構造を有する銅配位高分子金属錯体R2dtoaCuを加圧成型して薄膜化する工程と、 上記薄膜化した層状の分子構造を有する銅配位高分子金属錯体の層の間に水分子を吸蔵させる工程とにより、 プロトン交換膜を生成することを特徴とする、プロトン交換膜の製造方法。

IPC (4)：

H01M 8/02 ( 200 6.01) ,  H01M 8/10 ( 200 6.01) ,  H01B 1/06 ( 200 6.01) ,  C08J 5/22 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01M 8/02 P ,  H01M 8/02 M ,  H01M 8/10 ,  H01B 1/06 A ,  C08J 5/22 103

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ルベアン酸系銅錯体のプロトン伝導