Pat

J-GLOBAL ID：201103073694824103

半導体装置及び半導体装置の動作方法

Inventor： 田邊 顕人
Applicant, Patent owner： ルネサスエレクトロニクス株式会社
Agent (3)： 速水 進治 ,  野本 可奈 ,  天城 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010060192
Publication number (International publication number)：2011192944
Application date： Mar. 17, 2010
Publication date： Sep. 29, 2011
Summary：

【課題】トランジスタの閾値電圧を高くする。【解決手段】フローティング電極110は半導体層102上に形成されており、絶縁層はフローティング電極110上に形成されている。バイアス電極134は、絶縁層を介してフローティング電極110の一部に対向することにより、フローティング電極110と容量結合し、かつフローティング電極110が半導体層102にチャネル領域を形成しない大きさの電圧が印加される。制御電極132は、絶縁層を介してフローティング電極110の他の部分に対向することにより、フローティング電極110と容量結合し、かつトランジスタのオン/オフを制御するための制御電圧が入力される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体層と、 前記半導体層上に形成されたフローティング電極と、 前記フローティング電極上に形成された絶縁層と、 前記絶縁層を介して前記フローティング電極の一部に対向することにより、前記フローティング電極と容量結合し、かつ前記フローティング電極が前記半導体層にチャネル領域を形成しない大きさの一定電圧が印加されるバイアス電極と、 前記絶縁層を介して前記フローティング電極の他の部分に対向することにより、前記フローティング電極と容量結合し、かつトランジスタのオン/オフを制御するための制御電圧が入力される制御電極と、 を備える半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/41

FI (5)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 L ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/44 L ,  H01L29/44 Y

F-Term (33)：

4M104AA03 ,  4M104AA07 ,  4M104CC00 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GC10 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS03 ,  5F102GS07 ,  5F102GT03 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F140AA00 ,  5F140AC09 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BF46 ,  5F140BF47 ,  5F140CB01