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J-GLOBAL ID：201103075858217249

微細構造作製方法及び装置

Inventor： 芦田 極 ,  森田 昇 ,  川堰 宣隆 ,  朴 貞俣
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2004254855
Publication number (International publication number)：2006073762
Patent number：4677599
Application date： Sep. 01, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】 単結晶シリコン材料をアルカリ性エッチング溶液に浸した状態で、摩擦力顕微鏡の機構により表面に所定形状の微細機械加工を施し、これにより生成されるマスク効果を発現する微細パターンによって、任意の領域のエッチングレートを低下させることで、所定形状の微細パターンを形成する微細構造作製方法において、 微細機械加工を行う時間に差を与えることで、形成される微細構造の高さを、加工開始点より終了点にかけて次第に該高さを減ずるように調節することを特徴とする微細構造作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/306 ( 200 6.01) ,  B81C 1/00 ( 200 6.01) ,  B82B 1/00 ( 200 6.01) ,  B82B 3/00 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 21/306 B ,  B81C 1/00 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体基板の微細加工用の加工針及び半導体基板の微細加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-126544   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 微細パターニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-251338   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• シリコン微細加工方法と該方法を用いて製造した表面性状制御多目的シリコン基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-188781   Applicant：学校法人早稲田大学, 日本学術振興会