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J-GLOBAL ID：201103076022049500

ナノ秒パルス電界を用いたアポトーシス誘導方法

Inventor： 安部 恵祐 ,  光武 和典 ,  秋山 秀典 ,  勝木 淳
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 熊本大学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011047162
Publication number (International publication number)：2011240115
Application date： Mar. 04, 2011
Publication date： Dec. 01, 2011
Summary：

【課題】ナノ秒パルス電界の繰り返し周波数を制御することでアポトーシスなどの細胞死を引き起こすことを可能とする。【解決の手段】組織中の標的細胞に対して、ナノ秒パルス電界を印加して、アポトーシスなどの細胞死を誘導する方法であって、前記ナノ秒パルス電界は、0.5~250KV/cmで、1~300nsのパルス幅で、繰り返し周波数は0.01pps超過0.5pps未満であることを特徴とするナノ秒パルス電界を用いたアポトーシスなど細胞死誘導方法、繰り返し周波数は50pps以上であることを特徴とするナノ秒パルス電界を用いたアポトーシスなど細胞死誘導方法、前記ナノ秒パルス電界複数回を1回としたクラスターとして印加して、クラスターの繰り返し周波数が0.01回/秒超過0.5回/秒未満であることを特徴とするナノ秒パルス電界印加シークエンスを用いたアポトーシスなど細胞死誘導方法を特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

組織中の標的細胞に対して、ナノ秒パルス電界を印加して、 アポトーシスなどの細胞死を誘導する方法であって、 前記ナノ秒パルス電界は、0.5~250KV/cmで、1~300nsのパルス幅で、 繰り返し周波数は0.01pps超過0.5pps未満であることを特徴とする ナノ秒パルス電界を用いたアポトーシスなど細胞死誘導方法。

IPC (2)：

A61N 1/40 ,  A61N 1/32

FI (2)：

A61N1/40 ,  A61N1/32

F-Term (5)：

4C053JJ02 ,  4C053JJ03 ,  4C053JJ04 ,  4C053JJ40 ,  4C053LL20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特許2009-532077号公報