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J-GLOBAL ID：201103076362829429

熱電変換素子及びその製造方法

Inventor：
金田 千穂子

About 金田 千穂子


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 川上 光治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010020113
Publication number (International publication number)：2011159791
Application date： Feb. 01, 2010
Publication date： Aug. 18, 2011
Summary：
【課題】熱電性能指数の高い熱電変換素子を安価に効率良く製造できるようにする。【解決手段】基板1の上にp型又はn型の不純物を導入した半導体膜2の上に金属膜3からなる縞状のパターンを形成する。縞状のパターンを形成する各ラインは、その両側部に凹凸が形成される。金属膜3及び半導体膜2を酸化して酸化膜6を形成すると、酸化膜6の壁部6Aによって半導体膜2が複数の熱電変換材7が形成される。熱電変換材7は、基板面に略平行な細長形状を有し、その両側面に凹凸が形成される。p型の不純物を導入した半導体膜2からなる熱電変換材7の一端と、n型の不純物を導入した半導体膜2からなる熱電変換材7の一端とを高温側に接続すると、熱起電力に起因して熱電変換材7間に電流が流れる。【選択図】図1E
Claim (excerpt)：
基板の上方に不純物を導入した半導体膜を形成する工程と、 前記半導体膜の上に金属膜を形成する工程と、 前記金属膜をパターニングして複数のラインからなる縞状のパターンを形成する工程と、 前記パターンの下の前記半導体膜を前記パターンから露出する前記半導体膜よりも深く酸化する工程と、 を含む熱電変換素子の製造方法。
IPC (2)：
H01L 35/34 ,  H01L 35/14
FI (2)：
H01L35/34 ,  H01L35/14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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