グラフェン素子及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：渡邊隆 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010227463
Publication number (International publication number)：2011086937
Application date： Oct. 07, 2010
Publication date： Apr. 28, 2011
Summary：

【課題】グラフェン素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】埋込みゲート(embedded gate)上に形成された上部酸化膜と、該上部酸化膜上に備えられたグラフェンチャネル及び電極と、を含み、基板上に1つまたは離隔された複数の埋込みゲートが備えられ、グラフェンチャネルと電極は、順次に積層されるか、その逆順に積層されうるグラフェン素子である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された少なくとも1つの埋込みゲート(embedded gate)と、前記少なくとも1つの埋込みゲート上に形成された上部酸化膜と、前記上部酸化膜上に備えられたグラフェンチャネル及び複数の電極と、を含むグラフェン素子。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 29/06

FI (5)：

H01L29/78 618B , H01L21/20 , H01L29/06 601N , H01L29/78 617N , H01L29/78 618E

F-Term (22)：

5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD21 , 5F110EE01 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110QQ19 , 5F152LL03 , 5F152MM04 , 5F152NN03 , 5F152NP13 , 5F152NQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

層状炭素構造体の製造方法および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-335941 Applicant：富士通株式会社
半導体装置および半導体センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-093076 Applicant：富士通株式会社
炭素微粒子構造体とその製造方法、およびこれを製造するための炭素微粒子転写体と炭素微粒子構造体製造用溶液、並びに炭素微粒子構造体を用いた炭素微粒子構造体電子素子とその製造方法、そして集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-188823 Applicant：富士ゼロックス株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Asymmetry gap in the electronic band structure of bilayer graphene

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