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J-GLOBAL ID：201103079828154620

ビスマス2212超伝導体単結晶の製造方法

Inventor： 平田 和人 ,  ラマサミー ジャヤベル ,  茂筑 高士 ,  竹屋 浩幸 ,  大井 修一
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2001115784
Publication number (International publication number)：2002316900
Patent number：3673826
Application date： Apr. 13, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Claim (excerpt)：

【請求項1】非晶質のビスマス2212化合物を酸素ガスフロー中で熱処理する際に、酸素ガスフロー中にビスマス2212超伝導体を構成する成分の気体を混入し、輸送させ、ビスマス2212超伝導体のウィスカー単結晶を育成させることを特徴とするビスマス2212超伝導体単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/62 ,  C30B 29/22

FI (2)：

C30B 29/62 E ,  C30B 29/22 501 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開昭63-307115
  

Cited by examiner (1)

• 特開昭63-307115