Pat
J-GLOBAL ID：201103079943765838

窒化シリコンのエッチング方法及び装置

Inventor：
功刀 俊介

About 功刀 俊介

, 
真弓 聡

About 真弓 聡


Applicant, Patent owner：
積水化学工業株式会社

About 積水化学工業株式会社


Agent (2)： 渡辺 昇 ,  原田 三十義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010031581
Publication number (International publication number)：2011171378
Application date： Feb. 16, 2010
Publication date： Sep. 01, 2011
Summary：
【課題】酸化シリコンの下地材にエッチング対象の窒化シリコン膜が被膜された被処理物の熱損傷を防止しながら、窒化シリコン膜を高速でエッチングし、かつ下地材のエッチングを抑制する。【解決手段】フッ化水素及び水を含む処理ガスを被処理物90に接触させてエッチングを行なう。エッチングは第1エッチング工程と第2エッチング工程の2段階に分ける。第1エッチング工程では被処理物90の温度を室温近傍にし、好ましくは20°C〜30°Cにする。第2エッチング工程では被処理物90の温度を50°C〜130°Cにし、好ましくは60°C〜110°Cにし、より好ましくは70°C〜100°Cにする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
酸化シリコンを含有する下地材にエッチング対象の窒化シリコン膜が被膜された被処理物を、フッ化水素及び凝縮性添加成分を含有する処理ガスによってエッチングするエッチング方法であって、 前記被処理物の温度を室温近傍にして、前記処理ガスを前記被処理物に接触させる第1エッチング工程と、 前記第1エッチング工程の後、前記被処理物の温度を50°C〜130°Cにして、前記処理ガスを前記被処理物に接触させる第2エッチング工程と、 を実行することを特徴とする窒化シリコンのエッチング方法。
IPC (1)：
H01L 21/306
FI (2)：
H01L21/302 301S ,  H01L21/302 101E
F-Term (23)：
5F004AA05 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB24 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004CA04 ,  5F004CA05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA19 ,  5F004DA20 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB07 ,  5F004EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM