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J-GLOBAL ID：201103080508006133

平面薄膜型SQUID微分型磁束センサ及びそれを用いた非破壊検査用装置

Inventor： 廿日出 好 ,  田中 三郎
Applicant, Patent owner： 国立大学法人豊橋技術科学大学
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2005148052
Publication number (International publication number)：2006322886
Patent number：4635199
Application date： May. 20, 2005
Publication date： Nov. 30, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】 磁界微分を計測する一次以上の微分型磁束検出コイルを有する平面薄膜型SQUID微分型磁束センサにおいて、励磁磁場の方向と、SQUIDリング中のジョセフソン接合部に流れるバイアス電流の方向が平行になるようにSQUIDリング部と磁束検出コイルを直接結合させることを特徴とする平面薄膜型SQUID微分型磁束センサ。

IPC (2)：

G01N 27/72 ( 200 6.01) ,  G01R 33/035 ( 200 6.01)

FI (2)：

G01N 27/72 ,  G01R 33/035 ZAA