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J-GLOBAL ID：201103084924681538

ナノギャップ電極の製造方法

Inventor： 越崎 直人 ,  佐々木 毅 ,  ウイリアムス・トーマス・ニコルス 三世 ,  ツアイ・ウエイピン
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 小越 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010276651
Publication number (International publication number)：2011127222
Application date： Dec. 13, 2010
Publication date： Jun. 30, 2011
Summary：

【課題】工程数の少ない手法でギャップ間距離が小さく、さらに様々な電極形状が調製可能であるナノギャップ電極の製造方法を得る。【解決手段】先端が90度又は鋭角である角を備えた電極材料を基板上に形成し、この電極材料にレーザー光を照射して、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成すると共に該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。基板上に10〜100μmのサイズのポリマー又はセラミックスビーズを均一に展開し、この上に電極材料をPVD法又はCVD法により被覆し、このビーズを除去することにより基板上に三角錐の電極材料を残存させ、この三角錐の電極材料にレーザー光を照射し、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成し、該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

先端が90度又は鋭角である角を備えた電極材料を基板上に形成し、この電極材料にレーザー光を照射して、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成すると共に、該微小電極と残余の電極本体との間に、ナノスケールのギャップを形成することを特徴とするナノギャップ電極の製造方法。

IPC (4)：

C23C 14/04 ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/04 ,  H01L 49/02

FI (4)：

C23C14/04 Z ,  B82B3/00 ,  C23C16/04 ,  H01L49/02

F-Term (16)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BA13 ,  4K029BA21 ,  4K029BB03 ,  4K029BC03 ,  4K029CA01 ,  4K029GA00 ,  4K029HA03 ,  4K030BA01 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA11 ,  4K030LA11