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J-GLOBAL ID：201103085283549266

電子透かし埋め込み方法

Inventor： 岩田 基
Applicant, Patent owner： 公立大学法人大阪府立大学
Agent (1)： 鹿島 義雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010007243
Publication number (International publication number)：2011147017
Application date： Jan. 15, 2010
Publication date： Jul. 28, 2011
Summary：

【課題】 色空間上で埋め込み時の画素値の変化の仕方や変化の限界が把握できる透かし埋め込み方法を提供する。【解決手段】 原画像および指標画像の各位置(m,n)の画素g(m,n),g^(m,n)について、それぞれの画素の画素値を示すことになるLab空間上の点Pmn(Lmn,amn,bmn),P^mn(Lmn,amn,bmn)をとり、色空間の原点との距離である画素ノルムD(m,n),D^(m,n)を用いた画素ノルム総和の平均W-を算出し、さらに量子化された画素ノルムW-Qを算出し、これにビット情報を埋め込み、そのときの画像の変化がPmnとP^mnとを結ぶ線上で動くように演算を行う。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

原画像に透かし情報を埋め込む電子透かし埋め込み方法であって、 原画像と画像が異なる指標画像を設定する指標画像設定工程と、 原画像および指標画像を、1ビットの透かし情報を埋め込む単位となるブロックB(i,j),B^(i,j)ごとに分割するとともに、各ブロックについてサブブロックBs(k,l),Bs^(k,l)に分割するブロック・サブブロック分割工程と、 原画像および指標画像の各位置(m,n)の画素g(m,n),g^(m,n)について、画素値L,a,bにより色情報が指定されるLab色空間上の点Pmn(Lmn,amn,bmn),P^mn(Lmn,amn,bmn)と前記色空間の原点との距離となる画素ノルムD(m,n),D^(m,n)を算出する画素ノルム算出工程と、 原画像および指標画像における対応する画素g(m,n),g^(m,n)どうしの画素ノルムD(m,n),D^(m,n)の差分ΔD(m,n)を算出する画素ノルム差分算出工程と、 ブロック内で正の画素ノルム差分ΔD(m,n)を有する画素の画素ノルム差分の総和Σ+、ブロック内で負の画素ノルム差分ΔD(m,n)を有する画素の画素ノルム差分の総和Σ-を、それぞれ原画像を指標画像に近づけるときにブロック単位で画素ノルムの総和を正側に変化させることができる許容量、負側に変化させることができる許容量として算出する変化許容量算出工程と、 サブブロック単位で画素ノルムD(m,n)の総和W(k,l)を算出する画素ノルム総和算出工程と、 ブロック内に含まれる各サブブロックの画素ノルム総和W(k,l)の平均を埋め込み前の画素ノルム総和平均W-として算出する画素ノルム総和平均算出工程と、 埋め込み前の画素ノルム総和平均W-に対して埋め込み強度を与える量子化値Qを用いて量子化した透かし評価値W-Qを算出する量子化工程と、 透かし評価値W-Qの偶奇と電子透かしのビット情報の偶奇とが一致するときは透かし評価値W-Qをそのまま調整値として用い、また、透かし評価値W-Qの偶奇と電子透かしのビット情報の偶奇とが一致しないときは正および負の画素ノルム差分総和Σ+,Σ-の大小関係に応じて透かし評価値W-Qを+1増または-1減させた値を調整値として用いて、調整値と量子化値Qに基づいて透かし埋め込み後の画素ノルム総和平均W-’を算出する埋め込み後画素ノルム総和平均算出工程と、 埋め込み後画素ノルム総和平均W-’と埋め込み前の画素ノルム総和平均W-との差をビット情報の埋め込みに要する画素ノルムの総変化量Kとして算出する総変化量算出工程と、 各画素g(m,n)ごとに総変化量Kの正負および画素ノルム差分ΔD(m,n)の正負に応じて画素ノルムD(m,n)を変化させる画素別変化量K(m,n)を算出する画素別変化量算出工程と、 色空間上で原画像の画素g(m,n)の点Pmn(Lmn,amn,bmn)を指標画像の画素g^(m,n)の点P^mn(Lmn,amn,bmn)に向けた直線上で移動させ、画素ノルムD(m,n)を画素別変化量K(m,n)だけ変化させた画素ノルムD’(m,n)となる色空間上の点P’mn(Lmn,amn,bmn)を算出することによって埋め込み後の画素g’(m,n)の色情報を算出する埋め込み後色情報算出工程とを備えたことを特徴とする電子透かし埋め込み方法。

IPC (4)：

H04N 1/387 ,  G06T 1/00 ,  H04N 1/60 ,  H04N 1/46

FI (4)：

H04N1/387 ,  G06T1/00 500B ,  H04N1/40 D ,  H04N1/46 Z

F-Term (26)：

5B057CA01 ,  5B057CA08 ,  5B057CA12 ,  5B057CA16 ,  5B057CB01 ,  5B057CB08 ,  5B057CB12 ,  5B057CB16 ,  5B057CE08 ,  5B057CE16 ,  5B057CG07 ,  5C076AA14 ,  5C076AA26 ,  5C076BA05 ,  5C077LL20 ,  5C077MP08 ,  5C077PP23 ,  5C077PP31 ,  5C077PP32 ,  5C077PP36 ,  5C079HB01 ,  5C079HB05 ,  5C079HB08 ,  5C079HB11 ,  5C079LA40 ,  5C079NA15