Pat
J-GLOBAL ID：201103086873370780
III族窒化物半導体発光素子の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009139478
Publication number (International publication number)：2010287681
Application date： Jun. 10, 2009
Publication date： Dec. 24, 2010
Summary：
【課題】レーザーリフトオフ時に支持基板やIII 族窒化物半導体層にクラックが生じるのを抑制すること。【解決手段】第1金属層16と、第2金属層18とを約300°Cで圧着させ、貼り合わせる。これにより、p電極15とSi基板17とを第1金属層16、第2金属層18を介して接合する。次に、Si基板17を約250°Cまで加熱した状態でレーザーリフトオフを行い、サファイア基板10を分離する。加熱によりSi基板17の内部応力が緩和されているため、Si基板17やIII 族窒化物半導体層14にクラックが生じるのを抑制することができる。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
成長基板上にIII 族窒化物半導体からなるn型層、活性層、p型層を順に積層してIII 族窒化物半導体層を形成し、前記p型層上にp電極を形成する第1工程と、
前記p電極と、熱膨張率が前記成長基板とは異なる導電性材料からなる支持基板と、を金属層を介して熱圧着し接合する第2工程と、
前記支持基板を前記金属層の融点より低い温度に加熱しながら、レーザーリフトオフにより前記成長基板を除去する第3工程と、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L33/00 186
, H01L33/00 220
5F041AA40
, 5F041AA41
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041CA85
, 5F041CB36
Cited by examiner (2)
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窒化物系半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2006-297329
Applicant：シャープ株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-307151
Applicant：松下電器産業株式会社
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