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J-GLOBAL ID：201103088538312531

ショットキー型光検出器

Inventor： 福田 光男 ,  山口 堅三
Applicant, Patent owner： 国立大学法人豊橋技術科学大学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010034121
Publication number (International publication number)：2011171519
Application date： Feb. 18, 2010
Publication date： Sep. 01, 2011
Summary：

【課題】半導体を用いた光検出器においては、光信号を半導体の吸収によって電子と正孔を発生させ、光電流に変換していたが、これらの光検出器に使用される半導体は、すべての光を吸収することはできず、半導体が十分に吸収できないエネルギーの小さい(波長の長い)光信号について検出することは困難であった。【解決手段】半導体と金属からなるショットキー型光検出器において、光検出部の金属を薄膜で構成し、該金属薄膜の表面に複数の金属ナノロッドを付着してなることを特徴とするショットキー型光検出器を要旨とし、光検出部の金属を薄膜化することにより、金属ナノロッドで誘起された表面プラズモン共鳴の振動が金属と半導体の界面まで届き、ショットキー障壁を越えて半導体側へ流れ込む電子数が増加することとなる。 【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体と金属からなるショットキー型光検出器において、光検出部の金属を薄膜で構成し、該金属薄膜の表面に複数の金属ナノロッドを付着してなることを特徴とするショットキー型光検出器。

IPC (1)：

H01L 31/108

FI (1)：

H01L31/10 C

F-Term (6)：

5F049MA05 ,  5F049MB02 ,  5F049NB01 ,  5F049SE05 ,  5F049SE11 ,  5F049WA01