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J-GLOBAL ID：201103088552928995

プラズマ処理方法と装置

Inventor： 金沢 元一 ,  浅地 豊久 ,  斎藤 潤二 ,  鍋澤 浩文 ,  中谷 功
Applicant, Patent owner： 立山マシン株式会社 ,  富山県 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
Agent (1)： 廣澤 勲
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2005195125
Publication number (International publication number)：2007012560
Patent number：4686668
Application date： Jul. 04, 2005
Publication date： Jan. 18, 2007
Claim (excerpt)：

【請求項1】 内部を真空にすることができる真空容器と、この真空容器に設けられ前記真空容器内に磁場を形成する磁石と、前記真空容器内で間隔を開けて互いに対向して設けられた一対の電極とを備えたプラズマ処理装置を用いてプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、 前記真空容器の側壁に固定され前記真空容器内に突出してマイクロ波を放射し、前記真空容器を共振器としてその真空容器内で、前記磁石とともに電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるアンテナと、 前記真空容器内の一方の電極側に接続され直流電圧又は高周波電圧が印加されるターゲットと、 前記ターゲットに接続された切り換え部材を有し、一方の接点が前記直流電圧または前記高周波電圧を印加するターゲット用電圧源に接続され、他方の接点が接地電位に接続され、前記ターゲット用電圧源と接地電位とを前記切り換え部材により切り換える第1のスイッチと、 前記真空容器内の他方の電極に接続され前記プラズマ処理が施される基板と、 前記他方の電極に接続された切り換え部材を有し、一方の接点が高周波電源に接続され、他方の接点が接地電位に接続され、前記高周波電源と接地電位とを前記切り換え部材により切り換える第2のスイッチとを設け、 ドライエッチングを行う場合には、前記第1のスイッチを前記接地電位に接続し、前記第2のスイッチを前記高周波電源に接続するとともに、排気された前記真空容器に反応性ガスを導入し、前記アンテナからマイクロ波を前記真空容器内に放射し、前記アンテナから放射されたマイクロ波によりプラズマを発生させ、前記永久磁石の作るミラー磁場に前記プラズマを閉じ込め、そのプラズマ中のイオンにより前記他方の電極上の前記基板を衝撃し、 スパッタリングを行う場合に、前記ターゲットが導電性の場合には前記ターゲット用電圧源を前記直流電圧として、前記第1のスイッチを前記ターゲット用電圧源に接続し、前記第2のスイッチを前記接地電位に接続し、排気された前記真空容器に不活性ガスを導入してプラズマを発生させ、前記ターゲットが絶縁性の場合には前記ターゲット用電圧源を前記高周波電圧として、前記第1のスイッチを前記ターゲット用電圧源に接続し、前記第2のスイッチを前記接地電位に接続してプラズマを発生させ、 前記スパッタリングに際して、前記ミラー磁場に前記プラズマを閉じ込め、前記プラズマ中のイオンが前記久磁石の作る前記ミラー磁場と前記ターゲットに印加された電圧の作る電界とが直交する箇所で、前記ターゲットに向かう力を受け、前記ターゲットの表面を衝撃し、 前記真空容器内で前記各プラズマにより、ドライエッチング処理とスパッタリング処理を連続的に行うことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (2)：

H05H 1/46 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (2)：

H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 101 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

• 特開昭61-019778
  
• プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-312780   Applicant：シャープ株式会社
• マイクロ波プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-315628   Applicant：富山県, 立山マシン株式会社
• ECR装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-301662   Applicant：富山県, 立山マシン株式会社
• プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-084017   Applicant：株式会社日立製作所
• 成膜方法及び成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-339241   Applicant：キヤノン株式会社
• スパッタリング方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-362957   Applicant：松下電器産業株式会社
• プラズマ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-357467   Applicant：住友金属工業株式会社
• 真空容器及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-160569   Applicant：京セラ株式会社
• 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-080721   Applicant：新日本製鐵株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-218736   Applicant：日本電気株式会社
• プラズマプロセス装置及びそのクリーニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-171598   Applicant：シャープ株式会社
• 異物除去方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-158371   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平3-253560