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J-GLOBAL ID：201103088794476533

MOSトランジスタの製造方法

Inventor： 清水 悟 ,  犬石 昌秀
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1991142500
Publication number (International publication number)：1992342141
Patent number：2859465
Application date： May. 17, 1991
Publication date： Nov. 27, 1992
Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲートポリシリコン層の上層として金属膜を形成し低抵抗化されたMOSトランジスタの製造方法において、半導体基板上に素子分離層、ゲート絶縁膜、ゲートポリシリコン層を順次積層する工程と、前記工程により形成された層の上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に第1の絶縁膜を形成する工程と、写真製版によりゲートのパターニングとエッチングを行った後、イオン注入によりソース・ドレイン部の不純物拡散領域をゲート電極部の両側に設ける工程と、前記ゲートの両側面に第2の絶縁膜からなるサイドウォールを、前記素子分離層によって分離された素子形成領域において、前記金属膜上に形成されている前記第1の絶縁膜の側面のほぼ全面を覆うように形成してから、前記ソース・ドレイン部上と前記第1の絶縁膜上と前記サイドウォール上とに高融点金属膜を堆積し、その後にアニール処理、および前記第1の絶縁膜上と前記サイドウォール上の未反応高融点金属膜の除去処理をすることによって、前記ソース・ドレイン部のシリサイド化を行う工程とを備えたことを特徴とする、MOSトランジスタの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (1)：

H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-227060
  
• 特開昭62-066679
  
• 特開平3-191574