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J-GLOBAL ID：201103090591767618

表面温度測定方法

Inventor： 黒河 明 ,  尾高 憲二 ,  小林 慶規 ,  伊藤 賢志
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009191826
Publication number (International publication number)：2011044586
Application date： Aug. 21, 2009
Publication date： Mar. 03, 2011
Summary：

【課題】Δとψを検出することにより薄膜表面温度の測定を可能とする。【解決手段】表面に一様な厚さの薄膜が形成された基板である温度測定用試料であって、前記薄膜の特定温度での厚さが既知であり、前記薄膜と基板について屈折率nと消衰係数kの温度依存性が既知である温度測定用試料を温度測定対象位置に配置し、温度測定用試料の温度を計測するために偏光された測定光を照射してその反射光についてp偏光成分とs偏光成分の位相差信号Δと反射率の比の信号ψを検出するための偏光測定装置を用いて光の電界が入射面に平行なp偏光成分の反射率Rpと、光の電界が入射面に垂直なs偏光成分の反射率Rsを測定して位相差信号Δと反射率の比の信号ψを算出し、偏光解析によって薄膜の屈折率nもしくは膜厚tの少なくともひとつを算出し、算出したnもしくはtをもとに、上記既知の薄膜の屈折率nと消衰係数kの温度依存性から薄膜の温度Tを算出する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面に一様な厚さの薄膜が形成された基板である温度測定用試料であって、前記薄膜の特定温度での厚さが既知であり、前記薄膜と基板について屈折率nと消衰係数kの温度依存性が既知である温度測定用試料を温度測定対象位置に配置し、 温度測定用試料の温度を計測するために偏光された測定光を照射してその反射光についてp偏光成分とs偏光成分の位相差信号Δと反射率の比の信号ψを検出するための偏光測定装置を用いて光の電界が入射面に平行なp偏光成分の反射率Rpと、光の電界が入射面に垂直なs偏光成分の反射率Rsを測定して位相差信号Δと反射率の比の信号ψを算出し、 偏光解析によって薄膜の屈折率nもしくは膜厚tの少なくともひとつを算出し、 算出したnもしくはtをもとに、上記既知の薄膜の屈折率nと消衰係数kの温度依存性から薄膜の温度Tを算出することを特徴とした、 薄膜の表面温度計測方法。

IPC (1)：

H01L 21/66

FI (1)：

H01L21/66 T

F-Term (8)：

4M106AA01 ,  4M106AA13 ,  4M106BA06 ,  4M106CA31 ,  4M106DH02 ,  4M106DH12 ,  4M106DH14 ,  4M106DH31