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J-GLOBAL ID:201103091186566040

光スイッチ素子の製造方法、光スイッチ素子、光スイッチ装置、およびMEMS素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 酒井 宏明 ,  田代 至男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009251154
Publication number (International publication number):2011095621
Application date: Oct. 30, 2009
Publication date: May. 12, 2011
Summary:
【課題】製造が容易であり、かつ製造歩留まりが高い光スイッチ素子の製造方法、光スイッチ素子、光スイッチ装置、およびMEMS素子の製造方法を提供すること。【解決手段】固定電極と、前記固定電極と所定の間隙を有して配置された可動電極と、前記可動電極に接続したミラーとを備えた光スイッチ素子の製造方法であって、表面導電層と絶縁層と裏面層とを有する多層基板の該表面導電層から該絶縁層に到る貫通パターン孔を形成し、前記貫通パターン孔を通して表面側から前記裏面導電層にパターンを形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
固定電極と、前記固定電極と所定の間隙を有して配置された可動電極と、前記可動電極に接続したミラーとを備えた光スイッチ素子の製造方法であって、 表面導電層と絶縁層と裏面導電層とを有する多層基板の該表面導電層から該絶縁層に到る貫通パターン孔を形成し、前記貫通パターン孔を通して表面側から前記裏面導電層にパターンを形成することを特徴とする光スイッチ素子の製造方法。
IPC (3):
G02B 26/08 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00
FI (3):
G02B26/08 E ,  B81B3/00 ,  B81C1/00
F-Term (31):
2H141MA16 ,  2H141MB23 ,  2H141MC07 ,  2H141MD13 ,  2H141MD20 ,  2H141MD23 ,  2H141MD38 ,  2H141ME01 ,  2H141ME06 ,  2H141ME13 ,  2H141ME19 ,  2H141ME24 ,  2H141MF25 ,  2H141MF26 ,  2H141MG01 ,  2H141MZ03 ,  2H141MZ13 ,  2H141MZ19 ,  2H141MZ26 ,  3C081AA18 ,  3C081BA07 ,  3C081BA28 ,  3C081BA43 ,  3C081BA46 ,  3C081BA47 ,  3C081BA53 ,  3C081CA02 ,  3C081CA14 ,  3C081CA15 ,  3C081DA04 ,  3C081EA09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 櫛歯電極対形成方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2005-069155   Applicant:富士通株式会社

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