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J-GLOBAL ID:201103091880330020

マグネシウム基水素化物の製造方法及びマグネシウム基水素化物の製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 河野 登夫 ,  河野 英仁
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2007125866
Publication number (International publication number):2008044832
Patent number:4083786
Application date: May. 10, 2007
Publication date: Feb. 28, 2008
Claim (excerpt):
【請求項1】 マグネシウムを主成分とする原料粉体を封入容器内に封入した水素ガス雰囲気中に保持しておき、 前記封入容器内の水素ガス雰囲気の圧力を所定圧力に維持し、 前記封入容器内の水素ガス雰囲気の温度を室温から上昇させ、 前記封入容器内の水素ガス雰囲気の温度を、単体のマグネシウム及び水素分子が化合して水素化マグネシウムが生成する反応と逆反応との平衡曲線上の前記所定圧力に対応する温度よりも高温で、前記温度からの温度差が100°C以内である温度に、所定の第1期間維持することによって、前記原料粉体表面の被膜を除去し、 次に、前記封入容器内の水素ガス雰囲気の温度を、室温へ戻さずに、前記平衡曲線上の前記所定圧力に対応する温度よりも低温で、前記温度からの温度差が100°C以内である温度に、所定の第2期間維持することによって、前記原料粉体からマグネシウム基水素化物を製造すること を特徴とするマグネシウム基水素化物の製造方法。
IPC (4):
C01B 6/04 ( 200 6.01) ,  C01B 6/00 ( 200 6.01) ,  C01B 3/06 ( 200 6.01) ,  H01M 8/06 ( 200 6.01)
FI (4):
C01B 6/04 ,  C01B 6/00 A ,  C01B 3/06 ,  H01M 8/06 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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