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J-GLOBAL ID：201103094358058505
単一準位と複数準位間の光学遷移が可能な半導体多層構造
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
平山 一幸
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2002276156
Publication number (International publication number)：2004111878
Patent number：3787720
Application date： Sep. 20, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Claim (excerpt)：
【請求項1】バンドギャップ・エネルギーが異なる半導体層を少なくとも2層以上積層した量子井戸層と、この量子井戸層の両側に積層する該量子井戸層よりもバンドギャップ・エネルギーが大きい半導体障壁層とからなり、
上記半導体層間の段差エネルギーと、上記半導体障壁層と該半導体障壁層に積層された上記量子井戸層の一方の側の半導体層との間の段差エネルギーとを閉じ込めポテンシャルとする第1の価電子帯量子井戸と、第1の伝導帯量子井戸と、
上記半導体障壁層と該半導体障壁層に積層された上記量子井戸層の一方の側の半導体層との間の段差エネルギーと、上記半導体障壁層と該半導体障壁層に積層された上記量子井戸層の他方の側の半導体層との間の段差エネルギーとを閉じ込めポテンシャルとする第2の価電子帯量子井戸と、第2の伝導帯量子井戸とを有し、
上記量子井戸層の価電子帯の第1量子準位が上記第1の価電子帯量子井戸に局在し、上記量子井戸層の伝導帯の第1量子準位が上記第1及び第2の伝導帯量子井戸にまたがって存在する、または、上記量子井戸層の伝導帯の第1量子準位が上記第1の伝導帯量子井戸に局在し、上記量子井戸層の価電子帯の第1量子準位が上記第1及び第2の価電子帯量子井戸にまたがって存在することを特徴とする、単一準位と複数準位間の光学遷移が可能な半導体多層構造。
IPC (1)：
FI (1)：
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