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J-GLOBAL ID：201103095057263592

多バンド超伝導体及び該超伝導体を用いた超伝導デバイス並びに該超伝導体の作成方法

Inventor： 田中 康資 ,  伊豫 彰 ,  シラゲ パラシャラム
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009189974
Publication number (International publication number)：2011044460
Application date： Aug. 19, 2009
Publication date： Mar. 03, 2011
Summary：

【課題】2バンド超伝導体を代表とする多バンド超伝導体において、ドメイン構造をとることが困難であり、ドメイン壁を薄くするために、ドメイン壁の生成エネルギーを大きくするとドメイン壁が作りづらいという問題があった。ドメイン壁を超伝導体内に発生せしめて、磁束のピン止めの向上と、ドメイン壁を使った情報処理技術を提供することを目的とする。【解決手段】バンド間位相差の2πの周期で変動するポテンシャルと、π以下で変動するポテンシャルを拮抗せしめ、それによって、多バンド超伝導体の中に、時間対称性の破れを生じさせ、ドメイン壁の薄いドメイン構造を有する多バンド超伝導体を実現する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

超伝導環境下において、バンド間位相差の2πの周期で変わるバンド間ジョセフソン相互作用によるポテンシャルに、π以下の周期で変動するポテンシャルを導入して、両者を拮抗させて、時間反転対称性の破れが生じていることを特徴とする多バンド超伝導体。

IPC (3)：

H01L 39/22 ,  C01G 1/00 ,  C01G 49/00

FI (3)：

H01L39/22 A ,  C01G1/00 S ,  C01G49/00 C

F-Term (7)：

4G002AA13 ,  4G002AE02 ,  4G047JC16 ,  4G047LB03 ,  4M113AA00 ,  4M113AA41 ,  4M113CA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 複数のバンドを有する超伝導体を利用した情報記録方法、演算方法、情報伝達方法、エネルギー蓄積方法、磁束測定方法及び量子ビットの構成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-308161   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 鉄ニクタイド系化合物の有効模型と超伝導発現機構
• 75As NMR Study of Hole-doped Superconductor Ba1-xKxFe2As2(Tc=38K)
• 75As NMR Study of Hole-doped Superconductor Ba1-xKxFe2As2(Tc=38K)