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J-GLOBAL ID:201103095747193830

ヒ酸鉄化合物の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 杉村 憲司 ,  来間 清志 ,  高梨 玲子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010063060
Publication number (International publication number):2011195367
Application date: Mar. 18, 2010
Publication date: Oct. 06, 2011
Summary:
【課題】ヒ素溶液から、結晶性が良くヒ素の溶出濃度が低いヒ酸鉄化合物を析出させる反応を、短時間で終了させることが可能であり、且つヒ酸鉄化合物への銅の付着量を少なくすることが可能であるヒ酸鉄化合物の製造方法を提供する。【解決手段】ヒ素溶液に2価の鉄イオンを加えて、2価の鉄イオンを酸化する目的で酸化剤を加えて攪拌しながら反応させる工程において、結晶性のヒ酸鉄化合物が生成した後に銅含有物質を添加する工程を含むことを特徴とする。【選択図】なし
Claim (excerpt):
ヒ素溶液と2価鉄とを、常圧下で酸化剤と反応させてヒ酸鉄化合物を析出させる工程を含むヒ酸鉄化合物の製造方法において、 前記ヒ酸鉄化合物を析出させる工程は、結晶性のヒ酸鉄化合物が生成した後に銅含有物質を添加することを特徴とするヒ酸鉄化合物の製造方法。
IPC (1):
C01G 49/00
FI (1):
C01G49/00 A
F-Term (8):
4G002AA06 ,  4G002AB03 ,  4K001AA03 ,  4K001BA19 ,  4K001BA21 ,  4K001DB22 ,  4K001DB23 ,  4K001JA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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