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J-GLOBAL ID:201103096622711657

赤外光源

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 五十嵐 省三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010088498
Publication number (International publication number):2011222211
Application date: Apr. 07, 2010
Publication date: Nov. 04, 2011
Summary:
【課題】エミッタ自体が高温となる従来の赤外光源では、高い変換効率の向上は困難であった。【解決手段】W加熱基材901上にMgO及びW金属を同時にスパッタリングしてMgO+Wサーメット層902を形成する。この結果、反射率Rは短波長赤外領域で低く、長波長赤外領域で高くなる。しかも、MgO、W金属の融点は3100K、3700Kと高く、3000Kに加熱されても破損しない。【選択図】 図9
Claim (excerpt):
加熱基材と、 該加熱基材の表面に設けられる短波長赤外領域の波長の光の反射率が低く、前記短波長赤外領域の波長より長い長波長赤外領域の波長の光の反射率が高い構造部と、 を有するエミッタを具備する赤外光源。
IPC (3):
H01K 1/04 ,  H01K 1/14 ,  H01K 1/06
FI (3):
H01K1/04 ,  H01K1/14 ,  H01K1/06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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