Pat
J-GLOBAL ID：201103096901020737
多積層量子ドット構造体および製造方法、それを用いた太陽電池素子および発光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009184330
Publication number (International publication number)：2011040459
Application date： Aug. 07, 2009
Publication date： Feb. 24, 2011
Summary：
【課題】工程を増加させる歪補償層を成長させることなく、簡単な構造をとる通常のGaAs層を量子ドット層の中間層として設け、各層の成長速度を従来のものより早くする多積層量子ドット構造体および製造方法を得る。【解決手段】GaAsバッファ層上にInGaAs量子ドット積層構造体を設けた多積層量子ドット構造体では、前記InGaAs量子ドット積層構造体6は、複数のInGaAs量子ドット4を設けたInGaAs薄膜層3と、そのInGaAs量子ドット4を埋め込むようにInGaAs薄膜層3上に設けたGaAsバッファ層5から構成するInGaAs量子ドット構造体6を任意数層積層して構成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
GaAsバッファ層上にInGaAs量子ドット積層構造体を設けた多積層量子ドット構造体であって、
前記InGaAs量子ドット積層構造体は、複数のInGaAs量子ドット4を設けたInGaAs薄膜層3と、そのInGaAs量子ドット4を埋め込むようにInGaAs薄膜層3上に設けたGaAsバッファ層5から構成するInGaAs量子ドット構造体6を任意数層積層して構成したことを特徴とする多積層量子ドット構造体。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (18)：
5F051AA08
, 5F051BA14
, 5F051CB11
, 5F051DA04
, 5F051DA20
, 5F051FA06
, 5F051GA04
, 5F151AA08
, 5F151BA14
, 5F151CB11
, 5F151DA04
, 5F151DA20
, 5F151FA06
, 5F151GA04
, 5F173AF09
, 5F173AH13
, 5F173AP09
, 5F173AR94
