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J-GLOBAL ID:201103097759421121

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009240217
Publication number (International publication number):2011084793
Application date: Oct. 19, 2009
Publication date: Apr. 28, 2011
Summary:
【課題】被処理物の表面の一部を占める被処理領域を選択的に窒化するプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置は、被処理物の表面の一部を占める被処理領域を選択的に窒化する。接地電極には接地電位が与えられ、接地電極と対向電極との間には接地電極の電位より対向電極の電位が高くなる直流パルス電圧が繰り返し印加される。被処理領域には、面積が10cm2以下であって導電体が露出する対向電極の対向面が対向させられる。チャンバの内部の空間には、窒素ガスを含有する処理ガスが供給され、当該空間の雰囲気は、圧力が50Torr以上常圧以下となり窒素ガスの分圧が全圧の50%以下となる状態に調整される。【選択図】図1
Claim (excerpt):
被処理物の表面を処理するプラズマ処理装置であって、 チャンバと、 前記チャンバの内部に収容され、被処理物に接地電位を与える接地電極と、 前記チャンバの内部に収容され、面積が10cm2以下であって導電体が露出する対向面を有し、被処理物の表面の一部を占める被処理領域に前記対向面が対向させられた対向電極と、 前記接地電極の電位より前記対向電極の電位が高くなる直流パルス電圧を前記接地電極と前記対向電極との間に繰り返し印加するパルス電源と、 前記チャンバの内部の雰囲気を調整する雰囲気調整機構と、 を備え、 被処理領域を選択的に窒化する窒化処理が行われ、 前記雰囲気調整機構は、 窒化処理が行われるときに、窒素ガス又は窒素化合物ガスを含有する処理ガスを前記チャンバの内部へ供給し、圧力が50Torr以上常圧以下となり窒素ガスの分圧が全圧の50%以下となる状態に前記チャンバの内部の雰囲気を調整し、 前記パルス電源は、 前記窒化処理が行われるときに、前記接地電極と前記対向電極との間に直流パルス電圧を印加し、前記接地電極と前記対向電極との間隙にある処理ガスをプラズマ化する、 プラズマ処理装置。
IPC (7):
C23C 8/38 ,  H05H 1/24 ,  C23C 28/04 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/515 ,  C23C 16/27 ,  C23C 8/36
FI (7):
C23C8/38 ,  H05H1/24 ,  C23C28/04 ,  C23C16/02 ,  C23C16/515 ,  C23C16/27 ,  C23C8/36
F-Term (16):
4K028BA02 ,  4K028BA12 ,  4K028BA13 ,  4K028BA15 ,  4K028BA21 ,  4K028BA22 ,  4K030BA28 ,  4K030FA01 ,  4K044AA02 ,  4K044BA18 ,  4K044BB03 ,  4K044BB04 ,  4K044BC06 ,  4K044CA12 ,  4K044CA13 ,  4K044CA71
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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