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J-GLOBAL ID:201110096627815342   Research Resource code:1000000742 Update date:Dec. 02, 2004

ステッププロファイラー、リアクティブイオンエッチング装置、微分干渉顕微鏡、2次イオン質量分析装置

ステッププロファイラー、リアクティブイオンエッチング装置、微分干渉顕微鏡、2次イオン質量分析装置
Owning Organization:
Contact: Takashi Egawa
Resource classification: Experience equipment, Facilities, etc
Research area  (2): Machine material/material mechanics ,  Electron/electric material engineering
Overview:
・ステッププロファイラー:物質表面の微細な荒さを測定する。
・リアクティブイオンエッチング装置:半導体表面を反応性イオンにより微細加工する。
塩素、三塩化ホウ素を使用
・微分干渉顕微鏡:表面の微細構造を観察する。ノマルスキ式。倍率:×1000まで可能
・2次イオン質量分析装置:カメカ社製 ims-4f
User environment and conditions:
・研究遂行に支障のないこと。
・装置およびその操作を熱知していること。
User procedures and method:
・利用手続き → 詳細は担当者まで問い合わせること。
・利用料金 → 詳細は担当者まで問い合わせること。
・利用者の資格→ 本学教官、本学との共同研究者。
・利用時間 → 平日10時00分から17時00分までのみ。

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