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J-GLOBAL ID：201202155931342160   Reference number：12A1365723

ドライ及びウェット酸化によるSi(111)初期熱酸化膜のSi 2p内殻準位

Author (8)： ENTA YOSHIHARU (弘前大 理工) ,  SHOJI DAISEI (東北大 電通研) ,  KIMURA YASUO (東北大 電通研) ,  SHINOHARA MASANORI (東北大 電通研) ,  KONDO YUSUKE (東北大 電通研) ,  SEYAMA AKIO (東北大 電通研) ,  NIWANO MICHIO (東北大 電通研) ,  SUEMITSU MAKI (東北大 電通研)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 47th  Issue： 2  Page： 801  Publication year： Mar. 28, 2000 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (5)： 酸化 ,  Si ,  初期 ,  熱酸化膜 ,  内殻準位