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J-GLOBAL ID：201202158766193730   Reference number：12A1400309

低温成長GaAs中の欠陥におけるアニール過程の検討

Author (7)： YANO RYUJI (NTT 物性科学基礎研) ,  HIRAYAMA YOSHIRO (NTT 物性科学基礎研) ,  MIYASHITA SEN (NTT-AT) ,  SASABU HIROYUKI (成蹊大) ,  NAKANO HIDETOSHI (NTT 物性科学基礎研) ,  UESUGI NAOSHI (東北工大) ,  UEHARA SHINGO (成蹊大)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 48th  Issue： 3  Page： 1316  Publication year： Mar. 28, 2001 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (4)： 低温成長 ,  GaAs ,  欠陥 ,  アニール過程