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J-GLOBAL ID：201202172401451695   Reference number：12A1355460

フォトリフラクティブInGaAs/GaAs p-i-nダイオードの特性評価

Author (10)： IWAMOTO SATOSHI (東大 生産技研) ,  TAKETOMI SAYOKO (東大 生産技研) ,  MATOBA OSAMU (東大 生産技研) ,  ASHIHARA SATOSHI (東大 生産技研) ,  SUZUKI KENJI (東大 生産技研) ,  NISHIOKA MASAO (東大 生産技研) ,  SOMEYA TAKAO (東大 生産技研) ,  ARAKAWA YASUHIKO (東大 生産技研) ,  SHIMURA TSUTOMU (東大 生産技研) ,  KURODA KAZUO (東大 生産技研)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 61st  Issue： 3  Page： 1031  Publication year： Sep. 03, 2000 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (4)： InGaAs ,  GaAs ,  ダイオード ,  特性評価