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J-GLOBAL ID：201202177208608996   Reference number：12A1395535

高濃度Si含有AlGaN超格子を用いた低転位バッファーの作製

Author (7)： AINOYA MAKOTO (理研) ,  AINOYA MAKOTO (早稲田大 理工) ,  HIRAYAMA HIDEKI (理研) ,  KINOSHITA ATSUHIRO (理研) ,  KINOSHITA ATSUHIRO (早稲田大 理工) ,  HIRATA AKIRA (早稲田大 理工) ,  AOYAGI YOSHINOBU (理研)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 61st  Issue： 1  Page： 303  Publication year： Sep. 03, 2000 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (7)： 高濃度 ,  Si ,  AlGaN ,  超格子 ,  転位 ,  バッファー ,  作製