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J-GLOBAL ID：201202197582977033   Reference number：12A1455692

導電性ZrB₂(0001)基板上へのGaNおよびAlNのMBE成長

Author (2)： SUDA JUN (京大 大学院工学研究科) ,  MATSUNAMI HIROYUKI (京大 大学院工学研究科)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 62nd  Issue： 1  Page： 274  Publication year： Sep. 11, 2001 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (4)： 導電性 ,  GaN ,  AlN ,  MBE成長