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J-GLOBAL ID：201202202901515084   Reference number：12A0479932

GaSb Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Atomic-Layer-Deposited HfAlO as Gate Dielectric

ゲート誘電体としての原子層堆積したHfAlOを有するGaSb金属-酸化物-半導体キャパシタ

Author (6)： WANG Chen (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  WANG Chen (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  XU Min (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  GU Jiangjiang (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  ZHANG David Wei (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  YE Peide D. (Purdue Univ., Indiana, USA)
Material： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochem Solid-State Lett)
Volume： 15  Issue： 3  Page： H51-H54  Publication year： 2012 
JST Material Number： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *hafnium compound ,  *aluminate ,  *gallium antimonide ,  dielectric property ,  capacitance-voltage characteristic ,  MOS structure ,  fracture strength ,  electrostatic capacity ,  interface (surface) ,  boundary ,  *thin film condenser ,  semiconductor device ,  gate dielectric film ,  trap density ,  high dielectric constant ,  frequency dispersion ,  electric field dependence ,  mechanical property ,  strength
Semi thesaurus term： *MOS capacitor ,  *アルミン酸ハフニウム ,  gate dielectric ,  gate leakage current ,  surface characteristics ,  ALD

JST classification (5)： Bases,metal oxides  (CD01030Z) ,  LCR parts  (NA05030D) ,  Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Dielectrics in general  (BM05010F)

Terms in the title (5)： ゲート誘電体 ,  原子層堆積 ,  GaSb ,  酸化物 ,  キャパシタ