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J-GLOBAL ID：201202205164632014   Reference number：12A1698319

超音波基礎 電子線を照射した6H-SiCの光音響分光=分光学から見る放射線耐性=

Author (1)： MIYAZAKI HISASHI (防衛大)
Material： 超音波Techno  (超音波テクノ)
Volume： 24  Issue： 6  Page： 81-85  Publication year： Dec. 01, 2012 
JST Material Number： L2344A  ISSN： 0916-2410  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon carbide ,  electron irradiation ,  *photoacoustic spectroscopy ,  *radiation resistance (radiation effect) ,  semiconductor device ,  substrate (plate) ,  *6H-silicon carbide
Semi thesaurus term： *6H-SiC

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Spectroscopy and spectrometers in general  (BD07041Q)

Terms in the title (7)： 超音波 ,  基礎 ,  電子線 ,  6H-SiC ,  光音響分光 ,  分光学 ,  放射線耐性