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J-GLOBAL ID：201202205631727300   Reference number：12A0543249

Stochastic resonance using a steep-subthreshold-swing transistor

急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴

Author (2)： NISHIGUCHI KATSUHIKO (NTT 物性科学基礎研) ,  FUJIWARA AKIRA (NTT 物性科学基礎研)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 111  Issue： 426(SDM2011 159-175)  Page： 71-76  Publication year： Jan. 31, 2012 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *resonance ,  *silicon ,  *MOSFET ,  *stochastic process ,  electric charge ,  *signal detection ,  high sensitivity ,  LSI ,  bias ,  *current-voltage characteristic ,  hysteresis ,  gate (semiconductor) ,  collisional ionization ,  voltage ,  threshold voltage
Semi thesaurus term： stochastic resonance ,  body bias

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (2)： トランジスタ ,  確率共鳴