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J-GLOBAL ID：201202210508800349   Reference number：12A1436777

Ag/Ta₂O₅/Pt構造における量子化コンダクタンスとシナプス的な振る舞い

Author (6)： TSURUOKA TOORU (物質・材料研究機構) ,  TSURUOKA TOORU (JST-CREST) ,  HASEGAWA TSUYOSHI (物質・材料研究機構) ,  HASEGAWA TSUYOSHI (JST-CREST) ,  TERABE KAZUYA (物質・材料研究機構) ,  AONO MASAKAZU (物質・材料研究機構)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 73rd  Page： ROMBUNNO.14A-C13-8  Publication year： Aug. 27, 2012 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： RAM ,  *MIM structure ,  *tantalum oxide ,  silver ,  platinum ,  *conductance ,  *steppe ,  synapse
Semi thesaurus term： resistive random access memory

JST classification (2)： Memory units  (JC04060F) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P)

Terms in the title (5)： Ag ,  Ta2O5 ,  Pt ,  量子化コンダクタンス ,  シナプス