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J-GLOBAL ID：201202211380808615   Reference number：12A0029793

Forming and switching mechanisms of a cation-migration-based oxide resistive memory

カチオン移動ベースの酸化物抵抗メモリの形成及びスイッチングメカニズム

Author (6)： TSURUOKA T (MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  TSURUOKA T (CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Tokyo, JPN) ,  TERABE K (MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA T (MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA T (CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Tokyo, JPN) ,  AONO M (MANA, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
Material： Nanotechnology
Volume： 21  Issue： 42  Page： 425205.1-425205.8  Publication year： Oct. 22, 2010 
JST Material Number： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  Document type： Article
Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： カチオン ,  移動ベース ,  酸化物 ,  抵抗メモリ ,  スイッチング ,  メカニズム