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J-GLOBAL ID：201202211430532012   Reference number：12A1000331

Spatially varied orientation selective epitaxial growth of CeO₂(100) and (110) regions on Si(100) substrates by reactive magnetron sputtering utilizing electron beam irradiation

電子ビーム照射を用いた反応性マグネトロンスパッタリングによるSi(100)基板上でのCeO₂(100)および(110)領域の空間的に変化する配向選択エピタキシャル成長

Author (2)： INOUE Tomoyasu ,  SHIDA Shigenari
Material： Thin Solid Films
Volume： 520  Issue： 19  Page： 6179-6182  Publication year： Jul. 31, 2012 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *cerium oxide ,  *magnetron sputtering ,  substrate(plate) ,  silicon ,  crystal orientation ,  *epitaxy ,  sputtered deposition ,  electron irradiation ,  X-ray diffraction ,  RHEED ,  preferred orientation ,  electrical resistivity ,  distribution ,  surface potential
Semi thesaurus term： potential distribution ,  *reactive magnetron sputtering

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (5)： 電子ビーム照射 ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  Si ,  配向 ,  エピタキシャル成長