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J-GLOBAL ID：201202212463527878   Reference number：12A0543244

Light emission from Silicon quantum-well by tunneling current injection

シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光

Author (4)： NOBORISAKA JIN'ICHIRO (NTT 物性科学基礎研) ,  NISHIGUCHI KATSUHIKO (NTT 物性科学基礎研) ,  KAGESHIMA HIROYUKI (NTT 物性科学基礎研) ,  FUJIWARA AKIRA (NTT 物性科学基礎研)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 111  Issue： 426(SDM2011 159-175)  Page： 41-46  Publication year： Jan. 31, 2012 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,  *quantum well ,  electric current ,  injection(pour) ,  *SOI structure ,  *tunneling spectroscopy ,  light emission ,  *MOSFET ,  *Stark effect ,  spectral line shift ,  *emission spectrum ,  state density
Semi thesaurus term： tunnel current ,  band edge emission ,  current injection

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Electrooptical effects,magnetooptical effects  (BM08020L)

Terms in the title (4)： シリコン ,  量子井戸 ,  トンネル ,  電流注入