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J-GLOBAL ID：201202212540325388   Reference number：12A0495338

New Performance Indicators of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors for High-Frequency Power-Conscious Design

高周波パワーを重視した設計のための金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの新しい性能指標

Author (2)： KATAYAMA Kosuke (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  FUJISHIMA Minoru (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 51  Issue： 2,Issue 2  Page： 02BC02.1-02BC02.5  Publication year： Feb. 25, 2012 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,  *HF ,  dose ,  *electric power consumption ,  gain ,  *amplifier ,  *performance index ,  energy conversion efficiency
Semi thesaurus term： consumption ,  millimetre wave amplifiers

JST classification (1)： Power converters  (NB08030B)

Reference (15)：

• 1) T. Nagatsuma and Y. Kado: WPANs, 9 March 2010.
• 2) M. Seo, B. Jagannathan, C. Carta, J. Pekarik, L. Chen, C. P. Yue, and M. Rodwell: ISSCC 2009, p. 484.
• 3) Z. Xu, Q. J. Gu, I. Ku, and M. F. Chang: IEEE A-SSCC 2010, p. 1.
• 4) S. T. Nicolson, A. Tomkins, K. W. Tang, A. Cathelin, D. Belot, and S. P. Voinigescu: IEEE RFIC Symp., 2008, p. 229.
• 5) B. Heydari, M. Bohsali, E. Adabi, and A. M. Niknejad: ISSCC 2007, p. 200.

Terms in the title (7)： 高周波 ,  パワー ,  重視 ,  設計 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  性能指標