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J-GLOBAL ID：201202214119240546   Reference number：12A1293999

Ambipolar organic light emitting field effect transistors

両極性有機発光電界効果トランジスタ

Author (6)： KANAGASEKARAN T. (Tohoku univ., sendai, JPN) ,  SHANG Hui (Tohoku univ., sendai, JPN) ,  IKEDA S. (Tohoku univ., sendai, JPN) ,  KUMASHIRO R. (Tohoku univ., sendai, JPN) ,  SHMOTANI H. (Tohoku univ., sendai, JPN) ,  TANIGAKI K. (Tohoku univ., sendai, JPN)
Material： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
Volume： 67  Issue： 2 第4分冊  Page： 800  Publication year： Aug. 24, 2012 
JST Material Number： S0671B  ISSN： 1342-8349  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： polarity ,  *organic semiconductor ,  light emission ,  *FET ,  electric conduction ,  electron ,  positive hole ,  P-type semiconductor ,  N-type semiconductor ,  carrier injection ,  electrification (static charge) ,  gate (semiconductor) ,  source ,  drain (semiconductor) ,  Gold ,  electrode
Semi thesaurus term： charge accumulation

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (2)： 両極性 ,  電界効果トランジスタ