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J-GLOBAL ID：201202216192999626   Reference number：12A1438602

単層InAs/GaAs量子ドット構造のDLTS評価

Author (7)： NAKANO KOICHI (東大 先端科学技研セ) ,  NAKANO KOICHI (東大 大学院) ,  KAIZU TOSHIYUKI (東大 先端科学技研セ) ,  HOSHII TAKUYA (東大 先端科学技研セ) ,  HOSHII TAKUYA (東大 大学院) ,  OKADA YOSHITAKA (東大 先端科学技研セ) ,  OKADA YOSHITAKA (東大 大学院)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 73rd  Page： ROMBUNNO.11P-J-14  Publication year： Aug. 27, 2012 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *quantum dot ,  *indium arsenide ,  *gallium arsenide ,  *deep level transient spectroscopy ,  *Schottky barrier diode ,  minority carrier ,  *carrier capture ,  *electron capture ,  temperature dependence ,  voltage dependence ,  bias ,  electron emission ,  energy level
Semi thesaurus term： *DLTS method ,  reverse bias

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (6)： 単層 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  DLTS ,  評価