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J-GLOBAL ID：201202216586843176   Reference number：12A1309692

A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs

GaNオンSiC高電子移動度パワートランジスタとMMICのレビュー

Author (5)： PENGELLY Raymond S. (Cree Inc., NC, USA) ,  WOOD Simon M. (Cree Inc., NC, USA) ,  MILLIGAN James W. (Cree Inc., NC, USA) ,  SHEPPARD Scott T. (Cree Inc., NC, USA) ,  PRIBBLE William L. (Cree Inc., NC, USA)
Material： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Trans Microw Theory Tech)
Volume： 60  Issue： 6,Pt.2  Page： 1764-1783  Publication year： Jun. 2012 
JST Material Number： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,  *MMIC ,  silicon carbide ,  *gallium nitride ,  Radar ,  CATV ,  base station ,  Technology ,  band gap ,  model ,  wideband amplifier ,  semiconductor technology
Semi thesaurus term： *GAN ,  SiC ,  pulse radar ,  large signal model

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (6)： GaN ,  SiC ,  電子移動度 ,  パワートランジスタ ,  MMIC ,  レビュー