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J-GLOBAL ID：201202218443413599   Reference number：12A0021503

Evaluation of the Switching Characteristics of a Gallium-Nitride Transistor

窒化ガリウムトランジスタのスイッチング特性の評価

Author (6)： DANILOVIC Milisav (Virginia Tech, VA, USA) ,  CHEN Zheng (Virginia Tech, VA, USA) ,  WANG Ruxi (Virginia Tech, VA, USA) ,  LUO Fang (Virginia Tech, VA, USA) ,  BOROYEVICH Dushan (Virginia Tech, VA, USA) ,  MATTAVELLI Paolo (Virginia Tech, VA, USA)
Material： IEEE Energy Conversion Congress and Exposition  (ECCE)
Volume： 2011 Vol.4  Page： 2681-2688  Publication year： 2011 
JST Material Number： C0800A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,  *transistor ,  *switching ,  performance test ,  switching loss
Semi thesaurus term： switching behavior

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 窒化ガリウム ,  トランジスタ ,  スイッチング特性 ,  評価